Aurustamine näiteks metallid, ühendid jne on tiigli paigutatud või riputatud hot wire aurustumise allikas ja substraatide pinnatud nagu metallid, keraamika, plastmassid jne paigutatakse esmalt ees. Pärast süsteemi pumbatakse kırge vaakumi, on aine aurutatakse kuumutades esmalt. Aatomite või molekulide aurustunud materjali ladestatakse substraadi pinda lühendatud viisil. Kihi paksus võib ulatuda sadade angstroms mitu mikronit. Kihi paksus määratakse Aurustumiskiirus ja aurustumise allikas (või sõltuvalt maksusumma) ja on seotud ja aluspinna vahele. Suure ala katmiseks, pöörleva substraat või mitmest allikast aurustumist kasutatakse sageli kihi paksus ühtsuse tagamiseks. Kaugus allikast aurustumise aluspinna oleksid väiksemad kui keskmine vaba tee auru molekulide järelejäänud gaasi nii, et aur molekulid põrkuvad järelejäänud gaasi molekulid keemiliste reaktsioonide. Auru molekulide Keskmine kineetiline energia on 0,1-0,2 electron volti.
Aurustamine näiteks metallid, ühendid jne on tiigli paigutatud või riputatud hot wire aurustumise allikas ja substraatide pinnatud nagu metallid, keraamika, plastmassid jne paigutatakse esmalt ees. Pärast süsteemi pumbatakse kırge vaakumi, on aine aurutatakse kuumutades esmalt. Aatomite või molekulide aurustunud materjali ladestatakse substraadi pinda lühendatud viisil. Kihi paksus võib ulatuda sadade angstroms mitu mikronit. Kihi paksus määratakse Aurustumiskiirus ja aurustumise allikas (või sõltuvalt maksusumma) ja on seotud ja aluspinna vahele. Suure ala katmiseks, pöörleva substraat või mitmest allikast aurustumist kasutatakse sageli kihi paksus ühtsuse tagamiseks. Kaugus allikast aurustumise aluspinna oleksid väiksemad kui keskmine vaba tee auru molekulide järelejäänud gaasi nii, et aur molekulid põrkuvad järelejäänud gaasi molekulid keemiliste reaktsioonide. Auru molekulide Keskmine kineetiline energia on 0,1-0,2 electron volti.
Seal on kolme tüüpi aurustumise allikad. (1) vastupanu täpsustada: tulekindlate metallist nagu volfram ja tantaal kasutatakse paadi fooliumi või hõõglambi, mida köetakse elektri, kuumutatud üle see või asetatakse tiigli (joonisel 1 [aurustumise pinnakatte paigaldusseadmetega skemaatiline joonis]). Allikas kasutatakse peamiselt aurustuda Cd, Pb, Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni ja muid materjale. 2 suure sagedusega induktsioon täpsustada: suure sagedusega induktsioon praegune soojuse heelium ja aurustunud materjali kasutada. 3 elektronide tala täpsustada: sobib materjalide kõrge aurustamise temperatuur (mitte vähem kui 2000 [618 - 1]), s.o pomm materjali elektronkiir aurustuda.